1.4%密 度 2.62 g/cm3莫氏硬度 7.5 Mohs熔 點 1900 ℃ ?">
藍寶石基外延單晶硅層(Silicon on Sapphire wafer)
| 常規(guī)產(chǎn)品參數(shù) | |
| 基材 | Al2O3 單晶片 |
| 基材晶向 | R-plane (1-102) |
| 基材直徑 | 100 mm(可按照要求進行裁切 5 x 5 mm 10 x 10mm) |
| 基材厚度 | 460 μm |
| 表面 | 單面拋光 / 雙面拋光 |
| Flat | one flat |
| 外延層規(guī)格 | |
| Si film 晶向 | (100) |
| Si film Type/Dopant | undoped |
| Si film thickness | 0.6 μm ± 10% |
| Si film resistivity | > 100 ohm-cm |
| Micro-particle density (for particles > 2 μm ) < 2 cm-2 | |
