氮化鋁（AlN）單晶片
物性參數(shù) | |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 鉛鋅礦型結(jié)構(gòu) |
| 晶格常數(shù) | a=3.112? , c=4.982 ? |
| 導(dǎo)帶類型 | 直接帶隙 |
| 晶體密度 | 3.23 g/cm3 |
| 表面努氏硬度 | 800 |
| 熔 點(diǎn) | 2750 ℃（10-100 bar氮?dú)庀拢?/strong> |
| 導(dǎo)熱系數(shù) | 320 W/m·k |
| 禁帶寬度 | 6.28 eV |
| 電子遷移率 | 1100 V·s/cm2 |
| 擊穿場(chǎng)強(qiáng) | 11.7 MV/cm |
| 聲波速率 | 11,300 m/s |
| 制備方法 | 物理氣相沉積 |
| 常用規(guī)格參數(shù) | |||
| 晶型 | 2H | ||
| 晶向 | (0001) ± 0.5° | ||
| 尺寸 | 10 x 10mm （5x5mm,dia10mm,dia15mm,dia20mm,dia25.4mm,dia50.8mm） | ||
| 厚度 | 400 ± 50 μm | ||
| 表面 | 鋁面：化學(xué)拋光（雙拋可定制） | ||
| 表面粗糙度（Ra） | 鋁面：<0.5 nm 氮面（背面）：< 1.2 μm | ||
| 質(zhì)量等級(jí) | S級(jí)（Super） | P級(jí)（Production） | R級(jí)（Research） |
| HRXRD 半高寬@(0002) (arcsec) | <= 150 | <= 300 | <= 500 |
| HRXRD半高寬@(10-12)(arcsec) | <= 100 | <= 200 | <= 400 |
| 吸收系數(shù)@265nm（cm-1） | <= 50 | <= 70 | <= 100 |
| 邊緣去除區(qū)（mm） | 1 | 1 | 1 |
| 劃痕 | No | No | No |
| 崩邊 | No | No | <=3 累計(jì)<=1.0mm |
| 可用面積 | >= 90% | ||
| 總厚度變化（TTV） | <= 30μm | ||
| 翹曲度（Rarp） | <= 30μm | ||
| 彎曲度（Bow） | <= 30μm | ||
| 裂紋 | 無(wú)，裸眼，強(qiáng)光 | ||
| 表面污染 | 無(wú)，裸眼，散射光 | ||
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